Корзина пуста
* Характеристики и комплектация, внешний вид товара могут изменяться производителем без уведомления.
- 1 модуль памяти DDR3
- объем модуля 2 Гб
- форм-фактор SODIMM, 204-контактный
- частота 1333 МГц
- CAS Latency (CL): 9
Производитель:
GOODRAM
Артикул:
GR1333S364L9/2G
Общие характеристики
Буферизованная (Registered):
нет
Низкопрофильная (Low Profile):
нет
Объем:
1 модуль 2 Гб
Поддержка ECC:
нет
Пропускная способность:
10600 Мб/с
Тактовая частота:
1333 МГц
Тип памяти:
DDR3
Форм-фактор:
SODIMM 204-контактный
Дополнительно
Количество чипов каждого модуля:
16, двусторонняя упаковка
Количество ранков:
2
Напряжение питания:
1.5 В
Тайминги
CAS Latency (CL):
9
RAS to CAS Delay (tRCD):
9
Row Precharge Delay (tRP):
9
Activate to Precharge Delay (tRAS):
24
Сообщения не найдены