Корзина пуста
* Характеристики и комплектация, внешний вид товара могут изменяться производителем без уведомления.
- 1 модуль памяти DDR2
- объем модуля 4 Гб
- форм-фактор SODIMM, 200-контактный
- частота 800 МГц
- CAS Latency (CL): 6
Производитель:
G.Skill
Артикул:
F2-6400CL6S-4GBSQ
Общие характеристики
Линейка:
Standard
Буферизованная (Registered):
нет
Низкопрофильная (Low Profile):
нет
Объем:
1 модуль 4 Гб
Поддержка ECC:
нет
Пропускная способность:
6400 Мб/с
Тактовая частота:
800 МГц
Тип памяти:
DDR2
Форм-фактор:
SODIMM 200-контактный
Дополнительно
Напряжение питания:
1.8 В
Тайминги
CAS Latency (CL):
6
RAS to CAS Delay (tRCD):
6
Row Precharge Delay (tRP):
6
Activate to Precharge Delay (tRAS):
18
Сообщения не найдены